18:34
Samsung представила первые в мире 10-нм чипы DDR4 DRAM третьего поколения


Компания Samsung Electronics объявила о разработке новых микросхем памяти DDR4 DRAM третьего поколения, изготавливаемых по техпроцессу 10-нм класса (1z-nm). За счет усовершенствованной технологии производства новая память DDR4 намного производительнее и энергоэффективнее. Продуктивность изготовления модулей улучшилась на 20 процентов. 

После проведения проверки новых модулей памяти объёмом 8 ГБ совместно с производителями процессоров, компания Samsung приступит к активному сотрудничеству с глобальными потребителями для предоставления широкого перечня доступных решений.

Первыми с использованием третьего поколения техпроцесса 10-нм класса компания начнёт выпускать память серверного назначения и память для производительных ПК. В дальнейшем техпроцесс 1z-nm 10-нм класса будет приспособлен для производства памяти DDR5, LPDDR5 и GDDR6. Серверы, мобильные устройства и графика смогут в полной мере использовать более быструю и менее прожорливую к потреблению память, чему будет способствовать переход на более тонкие нормы производства.

Массовое производство чипов начнётся во второй половине этого года, а высокопроизводительные компьютеры и серверы с такими чипами появятся на рынке уже в 2020 году.


Напомним, что ранее сообщалось Samsung представила память UFS 2.1 объемом 1 ТБ



 

Категория: Новости | Просмотров: 41 | Добавил: rakauskas | Рейтинг: 5.0/1
Всего комментариев: 0
avatar