Южнокорейская компания Samsung сообщила о начале массового производства первых в мире терабайтных накопителей формата embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, которые предназначены для использования в мобильных устройствах, в первую очередь – в смартфонах. Таким образом, южнокорейскому IT-гиганту потребовалось четыре года, чтобы перейти от 128-гигабайтного чипа eUFS до 1-терабайтного. С учетом продвинутых возможностей камер современных смартфонов, постоянным ростом размера различных приложений с каждым годом увеличиваются потребности в объеме встроенного накопителя мобильного устройства. Ожидается, что в 2019 году появится немало топовых смартфонов с модификациями памяти, включающими вариант на 1 ТБ или даже больше.

Несмотря на прежние размеры (11,5 x 13 мм), модуль память eUFC 1Тбайт может похвастаться вдвое большим объёмом памяти по сравнению с предыдущей версией модуля. Это достигается за счёт комбинации 16-слойного чипа в продвинутой флеш-памяти с фирменным контроллером. Но повышенная ёмкость - это не единственное достоинство новой памяти. И помимо этого она обеспечивает скорость работы до 1000 Мбайт/с - вдвое больше возможностей обычных SATA SSD в форм-факторе 2,5". Скорость случайного чтения по сравнению с версией 512 Гбайт увеличилась на 38% и достигла 58 000 IOPS. Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем позволяют высокопроизводительные карты microSD, и может достигать 50 000 IOPS. Это позволяет вести непрерывную съёмку со скоростью 960 к/с, что наверняка оценят пользователи флагманских устройств. Производитель сообщил, что данная микросхема позволит перенести в память файл с видео с разрешением Full HD на 5 ГБ примерно за 5 секунд. Пользователи теперь смогут записать на смартфон в целом 260 10-минутных видео в формате 4K UHD (3840 × 2160).

В таблице, опубликованной выше, компания Samsung привела сравнение микросхем памяти мобильных устройств разных поколений, начиная с eMMC 4.5 и заканчивая новейшей eUFS 2.1 объемом 1 ТБ. 

Как мы Вам сообщали в самом начале, компания Samsung уже приступила к массовому производству eUFS объемом 1 ТБ. Но для удовлетворения ожидаемого высокого спроса на eUFS ёмкостью 1 Тбайт со стороны производителей мобильных устройств по всему миру, уже в первой половине 2019 года Samsung намерена расширить производство своих V-NAND пятого поколения ёмкостью 512 Гбайт на заводе в городе Пхёнтэк (Корея).

Напомним, что ранее сообщалось Samsung представила Galaxy M10 и M20, В телевизорах Samsung появится поддержка сервисов от Apple