Компания Samsung Electronics объявила о разработке новых микросхем памяти DDR4 DRAM третьего поколения, изготавливаемых по техпроцессу 10-нм класса (1z-nm). За счет усовершенствованной технологии производства новая память DDR4 намного производительнее и энергоэффективнее. Продуктивность изготовления модулей улучшилась на 20 процентов. 

После проведения проверки новых модулей памяти объёмом 8 ГБ совместно с производителями процессоров, компания Samsung приступит к активному сотрудничеству с глобальными потребителями для предоставления широкого перечня доступных решений.

... Читать дальше »